23.10.07

Samsung Crea el Chip de Memoria de Mayor Intensidad

LaNacion - Permitirá crear unidades de almacenamiento de hasta 128 GB; se podrían guardar 80 películas de alta definición.

Samsung anunció el desarrollo de un chip de memoria flash NAND de 64 Gb basado en tecnología de 30 nanómetros, que posibilitaría la creación de unidades de almacenamiento de hasta 128 GB.

La compañía dijo que este avance marca el octavo año consecutivo en que la densidad de memoria ha sido duplicada y el séptimo consecutivo que la escala del nanómetro ha mejorado en la memoria instantánea flash NAND.

La producción comercial del nuevo chip comenzará en 2009 y tendrá como principal destino el mercado de telefonía móvil, las cámaras digitales y los reproductores de música.

Samsung estima alcanzar un volumen de negocio de 20.000 millones de dólares en los próximos tres años.

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